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ComBond-自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)

簡要描述:ComBond-自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng) 應(yīng)用:高真空晶圓鍵合平臺(tái)促進(jìn)“任何物上的任何東西"的共價(jià)鍵合

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  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 產(chǎn)品資料:
  • 更新時(shí)間:2024-11-09
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詳細(xì)介紹

 ComBond-自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)應(yīng)用:高真空晶圓鍵合平臺(tái)促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵合

一、簡介
EVG ComBond高真空晶圓鍵合平臺(tái)(晶圓鍵合機(jī))標(biāo)志著EVG*的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑,可滿足市場對(duì)更復(fù)雜的集成工藝的需求。

EVG ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到端MEMS封裝,高性能邏輯和“beyond CMOS”器件。EVG ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺(tái),可以針對(duì)研發(fā)和高通量,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制。

EVG ComBond(晶圓鍵合機(jī))促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質(zhì)材料的鍵合,并通過其*的氧化物去除工藝促進(jìn)了導(dǎo)電鍵界面的形成。EVG ComBond(晶圓鍵合機(jī))高真空技術(shù)還可以實(shí)現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,這些金屬在周圍環(huán)境中會(huì)迅速重新氧化。對(duì)于所有材料組合,都可以實(shí)現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強(qiáng)度。

ComBond-自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)特征
高真空,對(duì)準(zhǔn),共價(jià)鍵合
在高真空環(huán)境(<5·10 -8 mbar)中進(jìn)行處理
原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度
高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除
優(yōu)異的表面性能
導(dǎo)電鍵合
室溫過程
多種材料組合,包括金屬(鋁)
無應(yīng)力鍵合界面
高鍵合強(qiáng)度
用于HVM和R&D的模塊化系統(tǒng) 
多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置
基板尺寸大為200毫米
*自動(dòng)化

三、技術(shù)數(shù)據(jù)
真空度
       處理:<7E-8 mbar
       處理:<5E-8毫巴

集群配置
       處理模塊:小3個(gè),大6個(gè)
       加載:手動(dòng),卡帶,EFEM

可選的過程模塊:
       (晶圓鍵合機(jī))鍵合模塊
         ComBond 激活模塊(CAM)
       (晶圓鍵合機(jī))烘烤模塊
         真空對(duì)準(zhǔn)模塊(VAM)

晶圓直徑:高達(dá)200毫米 

 

 

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