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簡要描述:Thetametrisis自動化光學(xué)膜厚儀 FR-Scanner自動化超高速薄膜厚度測量儀是一種緊湊的臺式工具,適用于自動測繪晶圓片上的涂層厚度。FR-Scanner 可以快 速和準(zhǔn)確測量薄膜特性:厚度,折射率,均勻性,顏色等。真空吸盤可應(yīng)用于任何直徑或其他形狀的樣片。
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Product Category詳細介紹
光學(xué)厚度測量儀是一種利用光學(xué)原理對物體厚度進行測量的設(shè)備。它可以非接觸地、精確地測量各種透明、半透明和不透明材料的厚度,常見于光學(xué)、電子、玻璃、塑料、薄膜、涂層等行業(yè)。
光學(xué)厚度測量儀的主要特點包括:
1、非接觸測量:使用光學(xué)原理進行測量,不需要接觸被測物體,避免了可能對被測物體造成的損傷。
2、測量精度高:由于采用了先進的光學(xué)技術(shù)和測量算法,能夠達到高的測量精度。
3、測量范圍廣:可以測量從納米級到毫米級的各種厚度。
4、操作簡便:大部分光學(xué)厚度測量儀都配備了易于操作的用戶界面,方便用戶設(shè)定參數(shù)和進行測量。
5、適用材料廣泛:可以測量各種透明、半透明和不透明的材料,包括光纖、玻璃、塑料、薄膜、涂層等。
Thetametrisis自動化光學(xué)膜厚儀 FR-Scanner光學(xué)厚度測量儀是一種緊湊的臺式工具,適用于自動測繪晶圓片上的涂層厚度。FR-Scanner 可以快 速和準(zhǔn)確測量薄膜特性:厚度,折射率,均勻性,顏色等。真空吸盤可應(yīng)用于任何直徑或其他形狀的樣片。
應(yīng)用:
1、半導(dǎo)體生產(chǎn)制造:(光刻膠, 電介質(zhì),光子多層結(jié)構(gòu), poly-Si, Si, DLC, )
2、光伏產(chǎn)業(yè)
3、液晶顯示
4、光學(xué)薄膜
5、聚合物
6、微機電系統(tǒng)和微光機電系統(tǒng)
7、基底:透明 (玻璃, 石英, 等等) 和半透明
Thetametrisis膜厚儀*的光學(xué)模塊可容納所有光學(xué)部件:分光計、復(fù)合光源(壽命10000小時)、高精度反射探頭。因此,在準(zhǔn)確性、重現(xiàn)性和長期穩(wěn)定性方面保證了優(yōu)異的性能。
Thetametrisis膜厚儀 FR-Scanner 通過高速旋轉(zhuǎn)平臺和光學(xué)探頭直線移動掃描晶圓片(極坐標(biāo)掃描)。通過這種方法,可以在很短的時間內(nèi)記錄具有高重復(fù)性的反射率數(shù)據(jù),這使得FR-Scanner 成為測繪晶圓涂層或其他基片涂層的理想工具。
測量 8” 樣片 625 點數(shù)據(jù) < 60 秒
Thetametrisis光學(xué)厚度測量儀特征:
1、單點分析(不需要預(yù)估值)
2、動態(tài)測量
3、包括光學(xué)參數(shù)(n和k,顏色) o 為演示保存視頻
4、600 多種的預(yù)存材料
5、離線分析
6、免費軟件更新
FR-Scanner自動化超高速薄膜厚度測量儀性能參數(shù):
樣品尺寸 | 晶圓: 2 英寸-3 英寸-4 英寸-6 英寸-8 英寸-300mm1 |
角度與線性分辨率 | 5μm/0.1o |
光斑 | 350μm |
光譜范圍 | 370-1020nm |
光譜規(guī)格 | 3648pixels/16bit |
光源MTBF | 10000h |
厚度范圍 2 | 12nm-90μm |
精度 3 | 0.02nm |
穩(wěn)定性 4 | 0.05nm |
準(zhǔn)確度 5 | 1nm |
折射率測量蕞小厚度 6 | 100nm |
掃描速度 7 | 625meas/min |
通訊接口 | USB 2.0 / USB 3.0. |
產(chǎn)品尺寸(mm) | 485W x 457L x 500H |
電源要求 | 110V/230V, 50-60Hz, 300W |
外觀 | 防靜電噴涂鋼板和 304 不銹鋼面板 |
重量 | 40Kg |
測量原理:
白光反射光譜(WLRS)是測量從單層薄膜或多層堆疊結(jié)構(gòu)的一個波長范圍內(nèi)光的反射量,入射光垂直于樣品表面,由于界面干涉產(chǎn)生的反射光譜被用來計算確定(透明或部分透明或*反射基板上)的薄膜的厚度、光學(xué)常數(shù)(n和k)等。
1、樣片平臺可容納任意形狀的樣品。450mm平臺也可根據(jù)要求提供。真正的X-Y掃描也可能通過定制配置。
2、硅基板上的單層SiO2薄膜的厚度值。對于其他薄膜/基質(zhì),這些值可能略有不同。
3、15天平均值的標(biāo)準(zhǔn)差平均值。樣品:硅晶片上1微米的二氧化硅
4、2*超過15天的日平均值的標(biāo)準(zhǔn)偏差。樣品:硅晶片上1微米的二氧化硅
5、測量結(jié)果與校準(zhǔn)的光譜橢偏儀比較
6、根據(jù)材料
7、測量以8 "晶圓為基準(zhǔn)。如有特殊要求,掃描速度可超過1000measurement /min
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