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EVG610-單面、雙面光刻系統(tǒng)

簡要描述:EVG610-單面、雙面光刻系統(tǒng) EVG光刻機EVG®610是一款緊湊型多功能研發(fā)系統(tǒng),可處理零碎片和大200 mm的晶圓。

  • 產品型號:
  • 廠商性質:代理商
  • 產品資料:查看pdf文檔
  • 更新時間:2024-11-09
  • 訪  問  量: 2367

詳細介紹

  EVG610-單面、雙面光刻系統(tǒng)是一款緊湊型多功能研發(fā)系統(tǒng),可處理零碎片和大200 mm的晶圓。
  一、簡介
  EVG光刻機EVG610支持各種標準光刻工藝,如真空,硬,軟接觸和接近式曝光模式,可選擇背部對準方式。此外,該系統(tǒng)還提供其他功能,包括鍵合對準和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速處理和重新加工,以滿足不斷變化的用戶需求,轉換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念適合初學者到專家級各個階層用戶,非常適合大學和研發(fā)應用。
  EVG610-單面、雙面光刻系統(tǒng)
  二、EVG光刻機應用
  MEMS,RF器件,功率器件,化合物半導體等方面的圖形光刻應用。
  三、EVG光刻機特征
  晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸
  頂部和底部對準功能
  高精度對準
  自動楔形補償序列
  電動的和程序控制的曝光間隙
  支持新的UV-LED技術
  小化系統(tǒng)占地面積和設施要求
  分步流程指引
  遠程技術支持
  多用戶概念(無限數量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問權限,不同語言)
  敏捷的處理和轉換重新加工
  臺式或獨立式帶防振花崗巖臺面
  附加功能:
  鍵合對準
  紅外對準
  納米壓印光刻(NIL)
  四、技術參數
  1.掩模版-基板-晶圓尺寸
  掩模版尺寸:5寸/7寸/9寸
  基片/晶圓尺寸:100mm/150mm/200mm
  晶圓厚度:高達10mm
  2.對準模式
  頂部對準精度:≤ ± 0,5 µm
  底部對準精度:≤ ± 2,0 µm
  紅外對準模式:≤ ± 2,0 µm/取決于基片的材料
  3.頂部顯微鏡
  移動范圍1:100mm(X軸:32-100mm;Y軸:-50/+30mm;)
  移動范圍2:150mm(X軸:32-150mm;Y軸:-75/+30mm;)
  移動范圍1:200mm(X軸:32-200mm;Y軸:-100/+30mm;)
  可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環(huán)形燈的暗場物鏡,可以增加對比度
  4.底部顯微鏡
  移動范圍1:100mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
  移動范圍2:150mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
  移動范圍1:200mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
  可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環(huán)形燈的暗場物鏡,可以增加對比度
  5.曝光器件
  (1)波長范圍:
  NUV:350 - 450 nm
  DUV:低至200 nm (可選)
  (2)光源:
  汞燈350W , 500W UV LED燈
  (3)均勻性:
  150mm:≤ 3%
  200mm:≤ 4%
  (4)濾光片:
  汞燈:機械式
  UV LED:軟件可調
  6.曝光模式
  接觸:硬、軟接觸,真空
  曝光間隙:1 - 1000 µm
  線寬精度:1µm
  模式:CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)
  可選:內部,浸入,扇形
  7.可選功能
  鍵合對準精度:≤ ± 2,0 µm
  納米壓抑光刻(NIL)精度:≤ ± 2,0 µm
  納米壓抑光刻(NIL)軟印章分辨率:≤ 50 nm圖形分辨率
  8.設施
  真空:< 150 mbar
  壓縮氣體:6 bar
  氮氣:可選2或者6 bar
  排氣要求:汞燈需要;LED不需要
  9.系統(tǒng)方式
  系統(tǒng):windows
  文件分享和軟件備份
  無限程序儲存,參數儲存在程序內
  支持多語言,含中文
  實時遠程支持,診斷和排除故障
  10.楔形補償
  全自動- 軟件控制
  11.規(guī)格
  占地面積:0.55m2
  高度:1.01m
  重量:約250kg
  納米壓印分辨率:≤ 40 nm(取決于模板和工藝)
  支持工藝:Soft UV-NIL


 

 

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