當(dāng)前位置:首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > EVG鍵合機(jī) > 晶圓鍵合機(jī) > EVG810 LT 低溫等離子活化系統(tǒng)
簡(jiǎn)要描述:EVG810 LT 低溫等離子活化系統(tǒng) 應(yīng)用:用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和高級(jí)襯底鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng)
產(chǎn)品分類(lèi)
Product Category詳細(xì)介紹
EVG810 LT 低溫等離子活化系統(tǒng)應(yīng)用:用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和高級(jí)襯底鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng)
一、簡(jiǎn)介
EVG810 LT (LowTemp™)低溫等離子活化系統(tǒng)是一個(gè)獨(dú)立單腔室系統(tǒng),具有手動(dòng)操作功能。 處理室允許非原位處理(晶片一個(gè)接一個(gè)地激 活并且鍵合在等離子體活化室外部)。
二、特征
用于低溫鍵合的表面等離子體活化(熔合/分子和中間層鍵合)
任何晶圓鍵合機(jī)制的快動(dòng)力學(xué)
無(wú)需濕法工藝
低溫退火時(shí)的高鍵合強(qiáng)度(高400°C)
適用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)封裝
高度的材料兼容性(包括CMOS)
三、參數(shù)
1.晶圓尺寸:50-200mm,100-300mm
2.低溫等離子活化腔:
工藝氣體:2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體(N2和O2)
通用大流量控制器:自校準(zhǔn)(高達(dá)20.000 sccm)
真空系統(tǒng):0.09 mbar
打開(kāi)/關(guān)閉腔室:自動(dòng)化
裝載/卸載腔室:手動(dòng)(晶圓/基板放置在裝載銷(xiāo)上)
3.備選功能:
用于不同的晶圓尺寸的夾頭
金屬離子激 活
帶有氣體混合的附加工藝氣體
帶渦輪泵的高真空系統(tǒng):0.009 mbar的基礎(chǔ)氣壓
4.符合LowTemp™等離子活化鍵合的材料系統(tǒng)
Si:Si / Si,Si / Si(熱氧化,Si(熱氧化)/ Si(熱氧化)
TEOS / TEOS(熱氧化)
絕緣體鍺(GeOI)的Si / Ge
硅/Si3N4
玻璃(無(wú)堿浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃
化合物半導(dǎo)體:GaAs,GaP,InP
聚合物:PMMA,環(huán)烯烴聚合物
用戶可以針對(duì)上述內(nèi)容和其他材料使用“佳已知方法”配方(可根據(jù)要求提供完整列表)
產(chǎn)品咨詢