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晶圓鍵合自動系統(tǒng)是推動半導體性能擴展的關鍵

更新時間:2022-12-30  |  點擊率:847
  晶圓鍵合自動系統(tǒng)匯集多項技術突破,令半導體行業(yè)向?qū)崿F(xiàn)3D-IC硅片通道高容量生產(chǎn)的目標又邁進了一步。新系統(tǒng)晶圓對晶圓排列精度是過去標準平臺的三倍,生產(chǎn)能力更是比先前高出50%,此外GEMINI FB XT平臺還為半導體行業(yè)應用3D-IC及硅片通道技術掃清了幾大關鍵障礙,使半導體行業(yè)能夠在未來不斷提升設備密度,強化設備機能,同時又無需求助于越發(fā)昂貴復雜的光刻工藝技術。
 
  晶圓對晶圓鍵合自動系統(tǒng)是激活諸如堆疊式內(nèi)存,邏輯記憶以及未來互補金屬氧化物半導體圖像感應器等3D裝置的一個關鍵步驟。與此同時,是實現(xiàn)各鍵合晶圓之間電接觸點的硅片通道尺寸的最小化,降低3D裝置成本,支持更高水平裝置性能及帶寬,減少裝置耗電量的一個關鍵方面。然而,只有實現(xiàn)了各晶圓之間緊密排列和套準精度,保證鍵合晶圓上互相連接的裝置維持高效電接觸,并且將鍵合面上的連接區(qū)域最小化,才能夠?qū)⒏嗟木A面積用于裝置生產(chǎn)。
 

 

  晶圓鍵合自動系統(tǒng)是推動半導體性能擴展的關鍵
 
  根據(jù)IRDS路線圖,寄生縮放將成為未來幾年邏輯器件性能的主要驅(qū)動力,需要新的晶體管架構(gòu)和材料。IRDS路線圖還指出,將需要新的3D集成方法(例如M3D)來支持從2D到3D VLSI的長期過渡,包括背面配電,N&P堆棧,內(nèi)存邏輯,集群功能堆棧以及CMOS以外的功能采用。層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底通過幫助實現(xiàn)設備性能,功能和功耗的顯著改善,正在使邏輯縮放技術成為可能。通過等離子活化進行直接晶圓鍵合是一種行之有效的解決方案,可實現(xiàn)不同材料的異質(zhì)集成。
 
  EV Group執(zhí)行技術總監(jiān)Paul Lindner表示:“作為晶圓鍵合的先驅(qū),EVG一直在幫助客戶將新的半導體技術從早期研發(fā)帶入全面生產(chǎn)方面處于蕞前沿。”“將近25年前,EVG推出了業(yè)界初款絕緣體上硅(SOI)晶圓鍵合自動系統(tǒng),以支持針對利基應用的高頻和輻射硬件設備的生產(chǎn)。從那時起,我們一直在不斷提高直接鍵合平臺的性能和CoO,以幫助我們的客戶將工程基板的優(yōu)勢帶入更廣泛的應用領域。我們?nèi)碌南到y(tǒng)解決方案將其提升到一個新的水平,從而提高了生產(chǎn)率,從而滿足了對工程襯底和層轉(zhuǎn)移處理不斷增長的需求,從而實現(xiàn)了持續(xù)的性能。
 
  晶圓鍵合自動系統(tǒng)是用于前端應用所需的融合/直接晶圓鍵合的大批量生產(chǎn)系統(tǒng)。該系統(tǒng)采用EVG的LowTemp™等離子活化技術,在一個適用于多種熔融/分子晶片的單一平臺上,結(jié)合了熔合的所有基本步驟-包括清潔,等離子體活化,對準,預結(jié)合和IR檢查。綁定應用程序。該系統(tǒng)能夠處理200毫米和300毫米晶圓,可確保無空隙,高產(chǎn)量和高產(chǎn)量的生產(chǎn)過程。
 
  晶圓鍵合自動系統(tǒng)集成了下一代融合/直接鍵合模塊,新的晶圓處理系統(tǒng)和光學邊緣對準功能,可提供更高的生產(chǎn)率和生產(chǎn)率,從而滿足客戶提高工程襯底晶圓生產(chǎn)和M3D集成的需求。